意法半導體(STMicroelectronics)宣布與三星聯合推出 18nm FD-SOI 工藝。該工藝支持嵌入式相變存儲器(ePCM)。
注:FD-SOI 即全耗盡型絕緣體上硅,是一種平面半導體工藝技術,可以較簡單的制造步驟實現優秀的漏電流控制。
意法半導體表示,相較于其現在使用的 40nm eNVM 技術,采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 工藝大幅提升了性能參數:其在能效上提升了 50%,數字密度上提升了 3 倍,同時可容納更大的片上存儲器,擁有更低的噪聲系數。
該工藝能夠在 3V 電壓下提供多種模擬功能,包括電源管理、復位系統等,是 20nm 以下制程中唯一支持這些功能的技術。
同時,新的 18nm FD-SOI 工藝在抗高溫、抗輻射等方面也有出色表現,可用于要求苛刻的工業應用。