消息表明三星有望從其第10代NAND開始采用長江存儲的專利混合鍵合技術。
此前消息表明，長江存儲已經開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層，使用了Xtacking 4.0架構，成功地將密度提高到行業相同的水平，實現了最高的垂直柵密度。盡管長江存儲此前并未公開披露新架構以及新款閃存的信息，但是目前已經正式上市開售的新款致態TiPro9000 PCIe 5.0 SSD已經確認搭載該款新架構閃存，也成為了國產存儲的里程碑時刻。而據外媒消息表明，三星有望從其第10代NAND開始采用長江存儲的專利混合鍵合技術。
長江存儲四年前率先將“晶棧（Xtacking）”架構混合鍵合技術應用于3D NAND閃存，伴隨著技術發展，長存也在這一技術上積累了大量專利。三星在之前的NAND閃存里采用了COP（Cell-on-Periphery）結構，將外圍電路放在一塊晶圓上，然后單元堆疊在上面，不過當層數超過400層時，下層外圍電路的壓力會影響可靠性。改用混合鍵合技術后，消除了對凸塊的需求，縮短了電路，從而提高了性能和散熱性。
三星的目標是在2025年下半年開始量產第10代V-NAND閃存，預計總層數達到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長江存儲進行專利協議的談判。據了解，目前Xperi、長江存儲、以及臺積電擁有大多數混合鍵合技術的專利。三星之所以選擇與長江存儲合作，很大程度上是因為接下來的第11代和第12代V-NAND閃存都很難繞過后者的專利，SK海力士可能面臨相同的處境。 
